1月25日，從有關部門獲悉，省科技廳下發(fā)批復，同意科達集團組建山東省半導體工程技術研究中心，組建期三年。
        據(jù)了解，組建山東省半導體工程技術研究中心是我市大力發(fā)展高新技術產業(yè)的重要舉措，科達半導體項目自主研發(fā)了多種規(guī)格的IGBT、MOSFET、FRD等產品。目前，科達半導體公司有設施齊全的功率MOSFET、IGBT動靜態(tài)參數(shù)測試設備、可靠性試驗設備、芯片設計平臺等研發(fā)設施，是目前國內測試設施最全、最先進的功率半導體研發(fā)基地。 

        山東省半導體工程技術研究中心成立后，通過研發(fā)，每年可為企業(yè)提供3個以上的產業(yè)化的新產品項目，每年可為企業(yè)提供不低于5000萬元的新增效益，確保企業(yè)產品的市場競爭優(yōu)勢，并可為社會其他企業(yè)提供產品設計方案和技術解決方案，年綜合經(jīng)濟效益可達數(shù)億元。